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台湾化合物半导体晶圆代工厂win semiconductors宣布其新一代集成毫米波gaas平台pqg3-0c的商业发布。pqg3-0c平台在150mm gaas衬底上制造。针对毫米波前端，pqg3-0c技术结合了单独优化的e模式低噪声和d模式功率phemt，以在同一芯片上实现一流的pa和lna性能。e模式/d模式phemt的ft分别为110ghz和90ghz，均采用了通过深紫外光刻技术制造出的0.15µm t形栅极。