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据外媒报道，东京电子宣布成功开发出一种创新蚀刻技术，首次将电介质蚀刻应用带到了低温范围，使得刻蚀速率提高，能够在堆叠超过400层的3d nand器件中生成通道孔。该创新技术可在短短33分钟内实现10微米深的高纵横比蚀刻，与之前的技术相比，可将全球变暖潜能值降低84%。这项技术实现的潜在创新将刺激创建容量更大的3d nand闪存。