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三星通过使用增加电池电容的新型高 κ 材料和改善关键电路特性的专有设计技术，推出采用12 nm（即1b nm）工艺技术构建的16gb ddr5 dram，完成与amd兼容性的产品评估，并计划将于2023年开始量产。结合先进的多层极紫外 (euv) 光刻技术，新型dram具有业界最高的芯片密度，可将晶圆生产率提高20%，高达7.2千兆每秒（gbps）的处理速度。与上一代三星dram产品相比，功耗降低约23%。